Spectroscopic Analysis of the Interface Between Si and Its Thermally Grown Oxide

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of the Electrochemical Society 1980-06, Vol.127 (6), p.1359-1365
Hauptverfasser: Aspnes, D. E., Theeten, J. B.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0013-4651
1945-7111
DOI:10.1149/1.2129899