Evaluation of Dislocation Generation at Si3 N 4 Film Edges on Silicon Substrates by Selective Oxidation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1981-03, Vol.128 (3), p.644-648
Hauptverfasser:	Tamaki, Y., Isomae, S., Mizuo, S., Higuchi, H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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