$Infrared, Raman, and X‐Ray Diffraction Studies of Silicon Oxide Films Formed from SiH4 and N 2 O Chemical Vapor Deposition$

Infrared, Raman, and X‐Ray Diffraction Studies of Silicon Oxide Films Formed from SiH4 and N 2 O Chemical Vapor Deposition

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1985-02, Vol.132 (2), p.482-488
Hauptverfasser:	Nakamura, Minoru, Mochizuki, Yasuhiro, Usami, Katsuhisa, Itoh, Yoshiko, Nozaki, Tadashi
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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