Low pressure deposition of doped SiO2 by pyrolysis of tetraethylorthosilicate (TEOS). I: Boron and phosphorus doped films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1987-11, Vol.134 (11), p.2923-2931
Hauptverfasser:	BECKER, F. S, RÖHL, S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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