Examination of pitting formation in rapid thermal annealing of self-aligned GaAs MESFETs

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1989-04, Vol.136 (4), p.1096-1099
Hauptverfasser:	LAHAV, A, LAPINSKY, R. L, HENRY, T. C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!