Charge exchange mechanism responsible for P-type silicon dissolution during porous silicon formation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1989-10, Vol.136 (10), p.3043-3046
Hauptverfasser:	GASPARD, F, BSIESY, A, LIGEON, M, MULLER, F, HERINO, R
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Exact sciences and technology Physics Solid surfaces and solid-solid interfaces Surface structure and topography Surfaces and interfaces thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties)
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