Incorporation of ion-implanted aluminum in silicon annealed at high temperatures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1988, Vol.135 (1), p.252-257
Hauptverfasser:	CHANG, H. R, LEWIS, N, SMITH, G. A, HALL, E. L, TEMPLE, V. A. K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Defects and impurities in crystals microstructure Doping and impurity implantation in iii-v and ii-vi semiconductors Exact sciences and technology Physics Structure of solids and liquids crystallography
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