Deep level study of VPE layers for GaAs FET devices

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1988-11, Vol.135 (11), p.2828-2831
Hauptverfasser:	JENN-HWA HUANG, DUBEY, M, KASEMSET, D
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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