Characterization of the ion implantation and thermal annealing of boron in diamond

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Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1990-09, Vol.137 (9), p.2984-2987
Hauptverfasser:	BAGINSKI, M. E, BAGINSKI, T. A, DAVIDSON, J. L
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Defects and impurities in crystals microstructure Doping and impurity implantation in iii-v and ii-vi semiconductors Exact sciences and technology Physics Structure of solids and liquids crystallography
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