Growth rate of doped and undoped silicon by ultra-high vacuum chemical vapor deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1991-06, Vol.138 (6), p.1744-1748
Hauptverfasser:	GREVE, D. W, RACANELLI, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of crystal growth physics of crystal growth Physics Theory and models of crystal growth physics of crystal growth, crystal morphology and orientation
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