Reliability implications of lateral alkali-ion migration in MOS integrated circuits

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1994-11, Vol.141 (11), p.3250-3253
Hauptverfasser:	SCHNABLE, G. L, SCHLESIER, K. M, WU, C. P, COMIZZOLI, R. B
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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