Formation of ultrathin nitrided SiO2 oxides by direct nitrogen implantation into silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1995-08, Vol.142 (8), p.L132-L134
Hauptverfasser:	SOLEIMANI, H. R, DOYLE, B. S, PHILIPOSSIAN, A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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