CH 4 / H 2 / AR Electron Cyclotron Resonance Plasma Etching for GaAs ‐ Based Field Effect Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1995-08, Vol.142 (8), p.2849-2852
Hauptverfasser:	van Hassel, J. G., van Es, C. M., Nouwens, P. A. M., Maahury, J. H., Kaufmann, L. M. F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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