Improvement of Czochralski silicon wafers by high-temperature annealing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1995-09, Vol.142 (9), p.3189-3192
Hauptverfasser:	GRÄF, D, LAMBERT, U, BROHL, M, EHLERT, A, WAHLICH, R, WAGNER, P
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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