Low temperature atmospheric pressure chemical vapor deposition for epitaxial growth of SiGe bipolar transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1995-07, Vol.142 (7), p.2458-2463
Hauptverfasser:	SEDGWICK, T. O, GRÜTZMACHER, D. A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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