Nondestructive detection of microvoids at the interface of direct bonded silicon wafers by scanning infrared microscopy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1995-07, Vol.142 (7), p.2425-2429
Hauptverfasser:	KHANH, N. Q, HAMORI, A, FRIED, M, DÜCSO, C, GYULAI, J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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