Influence of Silicon Nitride Passivation on DC and RF Characteristics of 0.1 μm Pseudomorphic HEMTs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2005, Vol.152 (4), p.G266
Hauptverfasser:	Oh, Jung-Hun, Sul, Woo-Suk, Rhee, Jin-Koo, Kim, Sam-Dong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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