Dopant effects on lateral silicide growth in self-aligned titanium silicide process

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1998-10, Vol.145 (10), p.3585-3589
Hauptverfasser:	PARK, J.-S, JEONG SOO BYUN, DONG KYUN SOHN, BYUNG HAK LEE, JIN WON PARK, JAE JEONG KIM
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Interfaces Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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