Oxygen vacancies in SiO2 layers on Si produced at high temperature

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1998-09, Vol.145 (9), p.3157-3160
Hauptverfasser:	AFANAS'EV, V. V, STESMANS, A, REVESZ, A. G, HUGHES, H. L
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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