Gravitational stress-induced dislocations in large-diameter silicon wafers studied by X-ray topography and computer simulation

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1998-07, Vol.145 (7), p.2523-2529
Hauptverfasser:	SHIMIZU, H, ISOMAE, S, MINOWA, K, SATOH, T, SUZUKI, T
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Defects and impurities in crystals microstructure Exact sciences and technology Linear defects: dislocations, disclinations Physics Structure of solids and liquids crystallography
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!