Initial growth processes in the epitaxy of Ge with GeH4 on oxidized Si substrates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1997-02, Vol.144 (2), p.694-697
Hauptverfasser:	ANGERMEIER, D, KUHN, W. S, DRUIHLE, R, BALLUTAUD, D, TRIBOULET, R, GEBHARDT, W
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics Vapor phase epitaxy growth from vapor phase
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