Interpretation of carrier recombination lifetime and diffusion length measurements in silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of the Electrochemical Society 1996-04, Vol.143 (4), p.1399-1405
Hauptverfasser: BULLIS, W. M, HUFF, H. R
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0013-4651
1945-7111
DOI:10.1149/1.1836650