Conducting and charge-trapping defects in buried oxide layers of SIMOX structures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1996, Vol.143 (1), p.347-352
Hauptverfasser:	AFANAS'EV, V. V, BROWN, G. A, HUGHES, H. L, LIU, S. T, REVESZ, A. G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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