Plasma Nitration of HfO[sub 2] Gate Dielectric in Nitrogen Ambient for Improvement of TaN/HfO[sub 2]/Si Performance

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electrochemical and solid-state letters 2004, Vol.7 (10), p.F59
Hauptverfasser:	Choi, Kyu-Jeong, Kim, Jeon-Ho, Yoon, Soon-Gil
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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