Tensile Strain in Si Due to Expansion of Lattice Spacings in CeO[sub 2] Epitaxially Grown on Si(111)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2004, Vol.151 (9), p.F202
Hauptverfasser:	Nishikawa, Yukie, Matsushita, Daisuke, Satou, Nobutaka, Yoshiki, Masahiko, Schimizu, Tatsuo, Yamaguchi, Takeshi, Satake, Hideki, Fukushima, Noburu
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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