Transient enhanced diffusion of B in Si implanted with decaborane cluster ions

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of the Electrochemical Society 2002-08, Vol.149 (8), p.G474-G476
Hauptverfasser: SOSNOWSKI, Marek, ALBANO, Maria A, CHENG LI, GOSSMANN, Hans Joachim L, JACOBSON, Dale C
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0013-4651
1945-7111
DOI:10.1149/1.1486453