Intrinsic gettering of copper in silicon wafers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2002-06, Vol.149 (6), p.G343-G347
Hauptverfasser:	ISOMAE, Seiichi, ISHIDA, Hidetsugu, ITOGA, Toshihiko, HOZAWA, Kazuyuki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Composition defects and impurities Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Exact sciences and technology Physics Solid surfaces and solid-solid interfaces Surfaces and interfaces thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties)
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