Improved Morphological Stability of CoSi[sub 2] Layer by In Situ Growth on Polycrystalline Silicon Using Reactive Chemical Vapor Deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2002, Vol.149 (1), p.G16
Hauptverfasser:	Lee, Heui Seung, Rhee, Hwa Sung, Ahn, Byung Tae
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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