Detection of the defects induced by boron high-energy ion implantation of silicon

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Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2000-08, Vol.147 (8), p.3111-3116
Hauptverfasser:	HSU, W.-C, CHEN, M.-C, LIANG, M.-S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Cross-disciplinary physics: materials science rheology Defects and impurities in crystals microstructure Doping and impurity implantation in germanium and silicon Exact sciences and technology Materials science Physics Structure of solids and liquids crystallography Surface treatments
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