Impact of nitrogen implantation into polysilicon followed by drive-in process on gate oxide integrity

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1999-11, Vol.146 (11), p.4259-4262
Hauptverfasser:	Cho, Byung Jin, Ko, Lian Hoon, Nga, Yiang Aun, Chan, Lap Hung
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Interfaces Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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