N+P junction leakage current caused by oxygen precipitation defects and its temperature dependence

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1999-06, Vol.146 (6), p.2322-2327
Hauptverfasser:	UCHIYAMA, H, MATSUMOTO, K, MCHEDLIDZE, T, NISIMURA, M, YAMABE, K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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