Pathway to depositing device-quality 50°C silicon nitride in a high-density plasma system

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1999-06, Vol.146 (6), p.2254-2257
Hauptverfasser:	FARBER, D. G, SANGHOON BAE, OKANDAN, M, REBER, D. M, KUZMA, T, FONASH, S. J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics Vapor phase epitaxy growth from vapor phase
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