Facet-free selective silicon epitaxy by reduced-pressure chemical vapor deposition : Process evaluation and impact on shallow trench isolation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1999-05, Vol.146 (5), p.1895-1902
Hauptverfasser:	VIOLETTE, K. E, CHAO, C.-P, WISE, R, UNNIKRISHNAN, S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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