Diode analysis of high-energy boron implantation-induced P-well defects

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2001-09, Vol.148 (9), p.G507-G512
Hauptverfasser:	POYAI, A, SIMOEN, E, CLAEYS, C, ROOYACKERS, R, BADENES, G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Testing, measurement, noise and reliability
Online-Zugang:	Volltext
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