(Invited) A Deep Level Transient Spectroscopy Study of Hole Traps in Ge x Se 1-x -Based Layers for Ovonic Threshold Switching Selectors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS transactions 2019-07, Vol.92 (1), p.45-55
Hauptverfasser:	Hsu, P.-C., Simoen, Eddy Roger, Lin, D, Stesmans, Andre, Goux, Laurent, Delhougne, Romain, Kar, Gouri Sankar
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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