Voltage Pulse Induced Resistance Change Response of ReRAM with HfO 2 Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS transactions 2018-07, Vol.86 (3), p.13-21
Hauptverfasser:	Azuma, Atsushi, Nakajima, Ryo, Yoshida, Hayato, Shimizu, Tomohiro, Ito, Takeshi, Shingubara, Shoso
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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