III-N High-Power Bipolar Transistors

We report state-of-the-art d.c. and RF performance of GaN/InGaN npn DHBTs grown by the MOCVD technology on sapphire substrates. The fabricated GaN/InGaN HBTs achieved a collector current density greater than 50 kA/cm2 and a d.c. current gain of 60 at the collector voltage of 13 V. A open-base collec...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ECS transactions 2013-08, Vol.58 (4), p.261-267
Hauptverfasser:	Dupuis, Russell D, Kim, Jeomoh, Lee, Yi-Che, Lochner, Zachary, Ji, Mi-Hee, Kao, Tsung-Ting, Ryou, Jae-Hyun, Detchphrom, Theeradetch, Shen, Shyh-Chiang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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