Improvement of the Interface Impurity Profile of Vapor Grown GaAs by Using Doubly Doped Substrate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 1970-01, Vol.9 (12), p.1544
Hauptverfasser:	Mizuno, Osamu, Kikuchi, Sadao, Maruyama, Mitsuhiro
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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