Investigation of Silicon-Silicon Dioxide Interface Using MOS Structure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 1966-01, Vol.5 (2), p.180
Hauptverfasser:	Miura, Yoshio, Matukura, Yasuo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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