Publisher's Note: "A New Lateral Trench Electrode Insulated Gate Bipolar Transistor with p+ Diverter for Superior Electrical Characteristics"

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2012-07, Vol.51 (7), p.079204-079204-1
Hauptverfasser: Sung, Man Young, Kang, Ey Goo, Kim, Dae Jong, Kim, Sang sig
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.51.079204