Publisher's Note: "A New Lateral Trench Electrode Insulated Gate Bipolar Transistor with p+ Diverter for Superior Electrical Characteristics"
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Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 2012-07, Vol.51 (7), p.079204-079204-1 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0021-4922 1347-4065 |
DOI: | 10.1143/JJAP.51.079204 |