Nanomechanical Response of the Si Lattice to Hydrogen Implantation and Annealing for Layer Splitting

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2009-10, Vol.48 (10), p.101202
Hauptverfasser:	Gu, Diefeng, Baumgart, Helmut, Bourdelle, Konstantin K., Celler, George K., Elmustafa, A. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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