Effect of Growth Interruption in Migration Enhanced Epitaxy on InAs/GaAs Quantum Dots

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2009-09, Vol.48 (9), p.91103
Hauptverfasser: Ryu, Sung-Pil, Cho, Nam-Ki, Lim, Ju-Young, Rim, A-Ram, Choi, Won-Jun, Song, Jin-Dong, Lee, Jung-Il, Lee, Yong-Tak
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.48.091103