Reduction of Leakage Currents in Bottom-Gate N-Channel Metal-Induced Crystallization through a Cap Layer Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors by Applying Off-Bias Stress

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2009-08, Vol.48 (8), p.8
Hauptverfasser:	Kang, Dong Han, Oh, Beom Seok, Park, Mi Kyung, Oh, Jae Hwan, Chang, Young Jin, Choi, Jae Beom, Kim, Chi Woo, Jang, Jin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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