Analysis of Basal Plane Bending and Basal Plane Dislocations in 4H-SiC Single Crystals

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2009-06, Vol.48 (6R), p.65503
Hauptverfasser:	Ohtani, Noboru, Katsuno, Masakazu, Fujimoto, Tatsuo, Nakabayashi, Masashi, Tsuge, Hiroshi, Yashiro, Hirokatsu, Aigo, Takashi, Hirano, Hosei, Hoshino, Taizo, Ohashi, Wataru
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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