Advantages of Densely Packed Multi-Wire Transistors with Planar Gate Structure Fabricated on Low-k Buried Insulator over Planar Silicon-on-Insulator Devices

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2009-05, Vol.48 (5R), p.54505
Hauptverfasser:	Ono, Mizuki, Uchida, Ken, Tezuka, Tsutomu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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