Extraction of Interface-States Energy Distribution in Nitrided and Pure Gate Dielectrics for Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2009-05, Vol.48 (5R), p.54502
Hauptverfasser:	Son, Younghwan, Yang, Seungwon, Kim, Bong Chan, Kim, Jinho, Moon, Chang-Rok, Lee, Duckhyung, Lee, Jong-Duk, Park, Byung-Gook, Shin, Hyungcheol
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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