Changes in Concentrations of Copper and Nickel on Boron-Doped Czochralski-Grown Silicon Surface at Room Temperature

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2009-05, Vol.48 (5R), p.51201
Hauptverfasser:	Takeda, Ryuji, Narita, Masahiro, Tani-ike, Seiji, Yamabe, Kikuo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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