Performance and Stability Characterization of Bottom Gated Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Grown by RF and DC Sputtering

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2009-04, Vol.48 (4S), p.4
Hauptverfasser:	Park, Sung-Soo, Choi, Won-Ho, Nam, Dong-Ho, Chai, Kwang-il, Jeong, Jae-Kyeong, Lee, Hi-Deok, Lee, Ga-Won
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!