Characterization of Ge Photodiodes Fabricated on Vicinal Si Substrate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2009-04, Vol.48 (4S), p.4
Hauptverfasser: Kuriyama, Keigo, Amemiya, Yoshiteru, Terao, Kei, Yokoyama, Shin
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.48.04C112