AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures on Silicon Substrates for High Breakdown Voltage Field-Effect Transistors with low On-Resistance

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2009-04, Vol.48 (4S), p.4
Hauptverfasser:	Visalli, Domenica, Hove, Marleen Van, Derluyn, Joff, Degroote, Stefan, Leys, Maarten, Cheng, Kai, Germain, Marianne, Borghs, Gustaaf
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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